Ki baze sou M10-182mm wafer, pi bon chwa pou ultra-gwo plant pouvwa
Teknoloji modil avanse delivre siperyèefikasite modil
M6 Galyum-doped Wafer • 9-busbar Half-cut Cell Cell
Ekselan pèfòmans jenerasyon pouvwa deyò
Segondè bon jan kalite modil asire fyab alontèm
Paramèt mekanik | |
Oryantasyon selil | 144(6X24) |
Bwat Junction | IP68, twa dyod |
Sòti kab | 4mm2,+400,-200mm/±1400mm longè ka Customized |
Glass | Doub vè, 2.0mmcoated vè apeze |
Ankadreman | Anodize ankadreman alyaj aliminyòm |
Pwa | 32.3kg |
Dimansyon | 2256 x 1133 x 35mm |
Anbalaj | 31pcs pou chak palèt / 155pcs pou chak 20 * GP / 620pcs pou chak 40 'HC |
Paramèt fonksyònman | |
Tanperati operasyon (℃) | 40 ℃ ~ + 85 ℃ |
Pouvwa Sòti Tolerans | 0 〜+5W |
Tolerans Voc ak Isc | ± 3% |
Maksimòm vòltaj sistèm | DC1500V (IEC/UL) |
Maksimòm Seri Fuse Rating | 30A |
Tanperati Selil Fonksyònman Nominal | 45±2℃ |
Klas pwoteksyon | Klas II |
Evalyasyon dife | ULtype lor2 |
Bifasyalite | 70±5% |
Chajman mekanik | |
Devan bò maksimòm chaj estatik | 5400Pa |
Dèyè Bò maksimòm chaj estatik | 2400Pa |
Tès lagrèl | 25mm Hailstone nan vitès 23m/s |
Evalyasyon Tanperati (STC) | |
Koefisyan Tanperati I sc | +0.048%/℃ |
Koefisyan Tanperati Voc | -0.248%/℃ |
Koefisyan Tanperati nan Pmax | 0.350%/℃ |